サブナノ秒レーザー (>100 ps)

パルス幅 : < 300 ps または < 400 ps | パルス立上り時間 : < 150 ps または < 200 ps |  伝播遅延時間 : 10-20 ns または 10-25 ns
繰返し周波数 : 最大 10 MHz | ジッター : 4 ～ 15 ps

波長 : 1550 nm | 線幅 : 2 ～ 8 nm | パルス幅 : 30 ～ 200 ps
繰返し周波数 : 0 ～ 1.5 MHz | ピークパワー 1.5 kW

高ビーム品質のサブナノ秒MOPA (Master Oscillator Power Amplifier)
パッシブQスイッチ動作 | 1064 / 532 / 355 nm発振 |シングル縦モード | パルス幅 : 200 ～ 800 ps
最大出力 : 5 Ｗ | 繰返し周波数 : 1 Hz ～ 50 kHz | コンパクト設計

サブナノ秒パルスを最大1 kHzで発振するアクティブQスイッチDPSSレーザー
パルス幅 : < 900 ps | タイミングジッター : < 350 ps | TEM₀₀ シングル縦モード
繰返し周波数 : 1 ～ 1000 Hz | パルスエネルギー : 140 μJ＠1064 nm

サブナノ秒パルスを最大10 kHzで発振するアクティブQスイッチDPSSレーザー
パルス幅 : 900 ps ～ 3 ns | タイミングジッター : < 350 ps (< 200 ps オプション)
繰返し周波数 : 1 ～ 10,000 Hz | パルスエネルギー : 70 μJ | TEM₀₀ シングル縦モード

高品質ビーム、コンパクト設計の671 nm発振のアクティブQスイッチDPSSレーザー
波長 : 671 nm | パルス幅 : 150 ～ 250 ps | TEM₀₀ シングル縦モード
繰返し周波数 : 1 ～ 100 Hz | パルスエネルギー 20 μJ

最大25kHzの高繰り返しが可能なサブナノ秒パッシブQスイッチレーザー
波長 : 1030/515/343 nm | パルス幅 : 500 ～ 800 ps | 平均出力 : 200 mW
パルスエネルギー : 20 μJ | 繰返し周波数 : 最大25 kHz | TEM₀₀ シングル縦モード

パッシブＱスイッチ・サブナノ秒LD励起Nd:YLFマイクロチップレーザー
波長 : 1047/1053 nm | パルス幅 : 350 ～ 650 ps | 平均出力 : 300 mW
パルスエネルギー : 1 mJ | 繰返し周波数 : 最大100 Hz/500 Hz | TEM₀₀ シングル縦モード

パッシブQスイッチ・サブナノ秒LD励起Nd:LSBマイクロチップレーザー
パルス幅 : 200 ～ 800 ps | 平均出力 : 最大200 W | パルスエネルギー : 最大200 μJ
繰返し周波数 : 1 kHz ～ 100 kHz | TEM₀₀ シングル縦モード