製品情報
フェムト秒レーザー用電動可変アッテネーター 990-0072Mシリーズ
製品詳細
分野
- 装置開発
- その他
メーカー
EKSMA Optics（リトアニア）
正規代理店概要
直径22 mmの開口を備えた、薄膜偏光子、λ/2波長板、光学機構で構成されている簡単セットアップの電動可変アッテネーターです。
波長板を電動で回転させることにより、出力ビームの強度比を連続的に変化させることができます。
この電動可変アッテネーターは、s偏光を反射しながらp偏光を透過する直径50.8mmのUV FS薄膜ブリュースター型偏光子をビームスプリッターマウントに収納し、入射直線偏光レーザービーム内に配置された、直径25.4mmの石英ゼロオーダーオプティカルコンタクト λ/2波長板 (フェムト秒アプリケーション用)またはゼロオーダーエアスペースλ/2波長板(高出力アプリケーション用)を回転偏光子ホルダーに収納して構成されています。
2つの分離された異なる偏光ビームの強度比は、波長板を回転させることにより、他のビームパラメータを変更することなく連続的に変化させることができます。いずれかの出射ビームの強度、またはその強度比は、広いダイナミックレンジにわたって制御できます。
特長
・レーザービームを68°の角度で2つのビームに分割、強度比は手動で調整可能
・広いダイナミックレンジ
・透過ビームシフト ~1 mm
・高いダメージ閾値
仕様
| 型番 | 動作波長 | ダメージ閾値 | 構成 | |
|---|---|---|---|---|
| For Femtosecond Laser Pulses | ||||
| 990-0072-343M | 343 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-343M+CP | 343 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-400M | 400 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-400M+CP | 400 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-515M | 515 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-515M+CP | 515 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-800M | 800 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-800M+CP | 800 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-800BM | 780-820 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-800BM+CP | 780-820 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-1030M | 1030 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-1030M+CP | 1030 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-1030BM | 1010-1050 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-1030BM+CP | 1010-1050 nm | >10 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| For High Power Laser Applications | ||||
| 990-0072-266HM | 266 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-266HM+CP | 266 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-343HM | 343 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-343HM+CP | 343 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-400HM | 400 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-400HM+CP | 400 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-515HM | 515 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-515HM+CP | 515 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-800HM | 800 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-800HM+CP | 800 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-800HBM | 780-820 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-800HBM+CP | 780-820 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-1030HM | 1030 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-1030HM+CP | 1030 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 990-0072-1030HBM | 1010-1050 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラーなし | |
| 990-0072-1030HBM+CP | 1010-1050 nm | >100 mJ/cm², 50 fs @ 800 nm | コントローラー付属 | |
| 仕様 | |
|---|---|
| Rotation resolution: in full step mode in 1/8 step mode | 0.6 arcmin |
| 4.5 arcsec | |
| Max. rotation speed | 50 deg/s |
| For Nd:YAG Laser Applications | |
| Aperture diameter | 22 mm |
| Damage threshold | >5 J/cm2 pulsed at 1064 nm, typical |
| Polarization Contrast | >1:200 |
| For Femtosecond Applications | |
| Aperture diameter | 22 mm |
| Damage threshold for high power laser applications: | >10 mJ/cm2, 50 fs pulse at 800 nm, typical |
| >100 mJ/cm2, 50 fs pulse at 800 nm, typical | |
| Time dispersion | t<4 fs for 100 fs Ti:Sapphire laser pulses |
| Polarization Contrast | >1:200 |
| Recommended Setup | |
| Controller | 980-1045 |
| Power supply | PS12-2.5-4 |
| * Above mentioned controller and power supply are included into attenuator kit with code ending "+CP". | |
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03-6659-7541
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