テラヘルツ波発生結晶

半導体テラヘルツ GaSe および ZnTe 結晶は、高いレーザー損傷閾値を特徴とし、高出力フェムト秒レーザーを使用して極めて短く高品質の THz パルスを生成します。

① ZnTe (テルル化亜鉛)結晶は<110> 配向を持ち、帯域幅の広いフェムト秒レーザーパルスの照射により、 0 から数 THz の帯域幅が生成されます。

② GaSe (セレン化ガリウム) 結晶は、最大41 THzの広い帯域幅を示します。GaSe結晶は、高い損傷しきい値、大きな非線形光学係数 (54 pm/V)、適切な透過範囲、および低い吸収係数を特徴としており、広帯域中赤外線電磁波生成の代替ソリューションとなっています。
周波数選択性 THz波生成および検出システムを実現するには、適切な厚さのGaSe結晶を使用する必要があります。

注: ZnTe 結晶には微小な気泡が含まれており、照明された結晶の投影で確認できますが、これは THz 生成には影響しません。結晶内の気泡に関するクレームは受け付けておりません。

注: 材料構造上、GaSe結晶は (001) 面に沿ってのみ劈開できます。またGaSeが柔らかく壊れやすいので取り扱い方に注意が必要です。